Si-Dioden schaffen SiC-Performance

08.03.2018

„Ultrafast“-Silizium-Dioden sind in PFC- oder Gleichrichterschaltungen oft suboptimal, Siliziumkarbid-Dioden sind dagegen kostspieliger und empfindlicher. Die speziell dotierten Qspeed-Dioden (Vertrieb: HY-LINE Power Components) sind hier eine elegante und preisgünstige Lösung.  

In Gleichrichter- oder Power Factor Correction-Schaltungen sind in modernen Schaltnetzteilen schnelle Dioden gefragt. Doch die Schaltgeschwindigkeit alleine ist gar nicht das Entscheidende – auch die Durchlaßspannung und vor allem die beim Umschalten in Sperrrichtung auszuräumende Ladung (QRR) spielen hier eine entscheidende Rolle. Diese macht bei den gängigen Ultrafast-Dioden erhebliche Probleme, führt zu zusätzlichen Verlusten sowie Überschwingern und damit Problemen mit Spannungsspitzen und Funkstörungen. SiC-Halbleiter sind wiederum weniger robust, teurer und haben eine höhere Durchlassspannung.

Qspeed-Dioden kombinieren durch eine spezielle Dotierung die Vorzüge von Schottky- und PIN-Dioden und erreichen so Sperrspannungen bis 600 V und bis zu 30 A möglichen Dauer-Durchlassstrom. Sie sind optimal für PFC und Ausgangsgleichrichter in Schaltnetzteilen geeignet, verbessern den PFC-Wirkungsgrad um bis zu 5%, entlasten die anderen Bauteile in der Schaltung und kosten nur wenig mehr als Standard-Silizium-Dioden. Es gibt sie je nach Applikation passend in drei verschieden optimierten Baureihen – geringste Durchlassspannung, geringste Schaltverluste und geringste Funkstörungen.

 

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/qspeed

 

 

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