650-V-GaN-HEMT mit 72 mOhm im TO-220-Gehäuse

18.11.2016

transphorm, vertreten vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components, fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue, ab sofort lieferbarte TPH3212PS schaltet im TO-220-Gehäuse Spitzenströme von 120 A und Dauerströme von 26.5 A bei einer Schaltspannung von 650 V und typ. 72 Milliohm Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von nur 90 nC bei voller JEDEC-Qualifikation. Damit schließt er die Lücke zwischen GaN-HEMTs im TO-247-Gehäuse und bisherigen GaN-HEMTs im TO-220-Gehäuse.

Der TPH3212PS kann in Ladegeräten, Stromversorgungen, Wechselrichtern und Motorsteuerungen bis 2,5 kW verwendet werden. Er bringt die Vorzüge der GaN-Technologie in Applikationen ein, die bisher auf den Einsatz von Silizium angewiesen waren. So lassen sich Lösungen mit hoher Leistungsdichte für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen erzielen, die weniger Komponenten benötigen und zuverlässiger sind. Besonders vorteilhaft ist dies in hart schaltenden Brücken sowie brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Designs mit einem kontinuierlichen Stromfluss (CCM - continuous conduction mode), wie sie in On-Board-Ladegeräten, Solar-Wechselrichtern, Telekommunikationsnetzteilen und anderen Energieumwandlungsanwendungen zu finden sind.

GaN-Leistungshalbleiter eignen sich für hohe Schaltfrequenzen. Der geringe Einschaltwiderstand, die hohen zulässigen Arbeitstemperaturen bis 150°C, die Abwesenheit eines Miller-Plateaus und der reduzierte Schaltungsaufwand – beispielsweise sind keine Freilaufdioden in Brückenschaltungen erforderlich – sind weitere Vorteile dieser Technologie.

 Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/gan

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